TRANSISTOR FET

Description

Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-18
Polarité du transistor: N-Channel
Configuration: Single
Vds - Tension de rupture drain-source: 40 V
Vgs - Tension de rupture grille-source: 40 V
Courant drain/source à Vgs=0: 5 mA to 30 mA
Id - Courant continu de fuite: 0.1 nA
Rds On - Résistance drain-source: 100 Ohms
Pd - Dissipation d’énergie : 1.8 W

Caractèristiques