TRANSISTOR FET-N Vdss:100V Id:17A Rds(on):90mR TO220

Description

Package/Boîte: TO-220-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 100 V
Id - Courant continu de fuite: 17 A
Rds On - Résistance drain-source: 110 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Mode canal: Enhancement
Marque: NXP Semiconductors
Configuration: Single
Temps de descente: 12 ns
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 79 W
Temps de montée: 36 ns
Nombre de pièces de l'usine: 50
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 18 ns
Délai d'activation standard: 6 ns

Caractèristiques