TRANSISTOR CANAL-N Id:18A Vdss:200V Rds(on):0.18R TO220

Description

Package/Boîte: TO-220-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V
Id - Courant continu de fuite: 16 A
Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Mode canal: Enhancement
Marque: NXP Semiconductors
Configuration: Single
Temps de descente: 38 ns
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 136 W
Temps de montée: 45 ns

Caractèristiques