TRANSISTOR

Description

Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 120 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 200 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 7 V
Courant CC max. du collecteur: 15 A
Produit gain-bande passante fT : 6 MHz
Température de fonctionnement max.: + 200 C
Marque: NXP Semiconductors
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 10 at 4 A at 2 V
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Pd - Dissipation d’énergie : 115000 mW

Caractèristiques