Transistors bipolaires - BJT HV fast-switching NPN power trans

Description

Configuration: Single


Polarité du transistor: NPN


Collecteur - Tension de base VCBO: 700 V


Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 400 V


Émetteur - Tension de base VEBO: 12 V


Courant CC max. du collecteur: 12 A


Température de fonctionnement max.: + 150 C


Style de montage: Through Hole


Package/Boîte: TO-220


Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 10


Dissipation de puissance max.: 100000 mW


Température de fonctionnement min.: - 65 C

Caractèristiques