TRANSISTOR FET

Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-18 Polarité du transistor: N-Channel Configuration: Single Vds - Tension de rupture drain-source: 40 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 40 V Courant drain/source à Vgs=0: 5 mA to 30 mA Id - Courant continu de fuite: 0.1 nA Rds On - Résistance drain-source: 100 Ohms Pd - Dissipation d’énergie : 1.8 W