TRANSISTOR FET-N Vdss:100V Id:17A Rds(on):90mR TO220

Package/Boîte: TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 100 V Id - Courant continu de fuite: 17 A Rds On - Résistance drain-source: 110 mOhms Vgs - Tension grille-source: 20 V Température de fonctionnement max.: + 175 C Mode canal: Enhancement Marque: NXP Semiconductors Configuration: Single Temps de descente: 12 ns Température de fonctionnement min.: - 55 C Pd - Dissipation d’énergie : 79 W Temps de montée: 36 ns Nombre de pièces de l'usine: 50 Type de transistor: 1 N-Channel Délai de désactivation type: 18 ns Délai d'activation standard: 6 ns