TRANSISTOR MOSFET CANAL N Id:5.2A Vdss:200V Rds(on):0.8R TO220

Marque: Vishay Semiconductors Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Id - Courant continu de fuite: 5.2 A Rds On - Résistance drain-source: 800 mOhms Vgs - Tension grille-source: 20 V Température de fonctionnement max.: + 150 C Conditionnement: Tube Mode canal: Enhancement Configuration: Single Temps de descente: 13 ns Température de fonctionnement min.: - 55 C Pd - Dissipation d’énergie : 50 W Temps de montée: 22 ns