TRANSISTORS N-MOSFET 200mA 60V Rds(on):5.3R TO92

Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-92-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 60 V Id - Courant continu de fuite: 200 mA Rds On - Résistance drain-source: 1.2 Ohms Vgs - Tension grille-source: 20 V Température de fonctionnement max.: + 150 C Conditionnement: Bulk Mode canal: Enhancement Marque: Fairchild Semiconductor Configuration: Single Transconductance directe - min.: 0.1 S Température de fonctionnement min.: - 55 C Pd - Dissipation d’énergie : 400 mW Série: 2N7000