TRANSISTORS HEXFET power MOSFET N Vdss:55V Id:29A Rds(on):0.040R TO220 GDS

Package/Boîte: TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V Id - Courant continu de fuite: 29 A Rds On - Résistance drain-source: 40 mOhms Vgs - Tension grille-source: 20 V Température de fonctionnement max.: + 175 C Conditionnement: Tube Mode canal: Enhancement Configuration: Single Temps de descente: 52 ns Température de fonctionnement min.: - 55 C Pd - Dissipation d’énergie : 88 W Temps de montée: 100 ns