Transistors bipolaires - BJT HV fast-switching NPN power trans

Configuration: Single Polarité du transistor: NPN Collecteur - Tension de base VCBO: 700 V Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 400 V Émetteur - Tension de base VEBO: 12 V Courant CC max. du collecteur: 12 A Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220 Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 10 Dissipation de puissance max.: 100000 mW Température de fonctionnement min.: - 65 C