TRANSISTORS MOS IXYS

Description

Package/Boîte: TO-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V
Id - Courant continu de fuite: 50 A
Rds On - Résistance drain-source: 45 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Conditionnement: Tube
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 16 ns
Transconductance directe - min.: 32 S
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 300 W
Temps de montée: 15 ns

Caractèristiques