TRANSISTOR FET

Description

Package/Boîte: TO-72-3
Polarité du transistor: N-Channel
Configuration: Single
Vds - Tension de rupture drain-source: 15 V
Vgs - Tension de rupture grille-source: - 30 V
Courant drain/source à Vgs=0: 3 mA
Id - Courant continu de fuite: 100 pA
Pd - Dissipation d’énergie : 300 mW
Conditionnement: Reel
Marque: InterFET
Transconductance directe - min.: 1000 uS
Tension gâchette-cathode de coupure: - 4 V

Caractèristiques