TRANSISTOR FET

Description

Package/Boîte: TO-92
Polarité du transistor: P-Channel
Configuration: Single
Vds - Tension de rupture drain-source: - 40 V
Vgs - Tension de rupture grille-source: 40 V
Courant drain/source à Vgs=0: 4 mA to 16 mA
Id - Courant continu de fuite: 5 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 310 mW
Série: 2N5460
Conditionnement: Bulk
Transconductance directe - min.: 0.002 S to 0.006 S

Caractèristiques