TRANSISTORS HEXFET power MOSFET N Vdss:55V Id:29A Rds(on):0.040R TO220 GDS

Description

Package/Boîte: TO-220-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 29 A
Rds On - Résistance drain-source: 40 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Conditionnement: Tube
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 52 ns
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 88 W
Temps de montée: 100 ns

Caractèristiques