Description
		Package/Boîte:  TO-220-3    
Nombre de canaux:  1 Channel    
Polarité du transistor:  N-Channel    
Vds - Tension de rupture drain-source:  400 V    
Id - Courant continu de fuite:  10 A    
Rds On - Résistance drain-source:  550 mOhms    
Vgs - Tension grille-source:  20 V    
Température de fonctionnement max.:  + 150 C    
Conditionnement:  Tube    
Mode canal:  Enhancement    
Configuration:  Single   
Transconductance directe - min.:  4 S   
Température de fonctionnement min.:  - 65 C   
Pd - Dissipation d’énergie :  125 W   
Temps de montée:  10 ns   
Série:  IRF740   
Type de transistor:  1 N-Channel   
Délai d'activation standard:  17 ns