TRANSISTORS V MOS TO92

Description

Package/Boîte: TO-92-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: P-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: - 80 V
Id - Courant continu de fuite: 280 mA
Rds On - Résistance drain-source: 5 Ohms
Vgs - Tension grille-source: 30 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 40 ns
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 1 W
Temps de montée: 40 ns

Caractèristiques