TRANSISTOR MOSFET CANAL N Id:5.2A Vdss:200V Rds(on):0.8R TO220

Description

Marque: Vishay Semiconductors
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Nombre de canaux: 1 Channel
Polarité du transistor: N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V
Id - Courant continu de fuite: 5.2 A
Rds On - Résistance drain-source: 800 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Conditionnement: Tube
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 13 ns
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Pd - Dissipation d’énergie : 50 W
Temps de montée: 22 ns

Caractèristiques